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單晶硅的生產工藝流程,單晶硅制造工藝流程

時間:2023-02-16來源:m.sprzu.cn單晶硅片單晶硅和多晶硅的區別

單晶硅的生產工藝流程

 

開爐取棒-清掃熱場-裝料-抽空-檢漏 (好的單晶爐還會有壓力化這個步驟,為的是讓爐體壓力達到拉晶的壓力條件下)-化料-穩溫-引晶-放肩-轉肩-等徑-收尾-停爐 ,完整的流程還包括神馬單晶送檢之類的流程。


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單晶硅制造工藝流程

 

太陽能電池用單晶硅片,一般有兩種形狀,一種是圓形,另一種是方形。以圓形硅片為例,其加工工藝流程為:單晶爐取出單晶-檢查重量、量直徑和其他表觀特征-切割分段-測試-清洗-外圓研磨-檢測分檔-切片-倒角-清洗-磨片-清洗-檢驗-測厚分類-化學腐蝕-測厚檢驗-拋光-清洗-再拋光-清洗-電性能測-檢驗-包裝-儲存。


單晶硅的生產工藝流程,單晶硅制造工藝流程

 

高純晶硅生產工藝流程

 

現有技術生產太陽能級高純硅的主要方法有三氯氫硅還原法、硅烷熱分解法、冶金法。三氯氫硅還原法也稱西門子法,是將工業還原硅與HC1氣體合成制備三氯氫硅,然后利用氯化物的低氣化點的特性,進行氣化分餾4是純,獲得高純三氯氫硅,三氯氫硅在氫還原爐內與氫反應生成氣相沉積硅和HC1氣體。

 

該方法生產流程包括硅石還原、硅料預處理、三氯 氬硅合成、三氯氬硅蒸餾提純、氬還原、硅鑄錠或定向生長成多晶硅或單晶硅。三氯氬硅還原法是目前電子級高純多晶硅的唯一生產方法,也是目前太陽能級多晶硅的主要生產方法。

 

但是該方法生產流程長、工藝復雜、控制難度大,生產中大量強腐蝕性和毒性HC1氣體對裝備要求極高,對環境影響大;另外由于生產中的關4建環節一氫還原三氯氫硅反應轉化效率低、反應速度慢。這些因素導致該方法生產效率低、裝備成本投入大、生產危險性高,產品成本高。

 

硅烷熱分解法與西門子法有類似之處,不同是它采用四氯化硅氫化法、硅合金分解法、氫化物還原法以及硅直接氬化等方法制備硅烷(SiH4),對硅烷進行提純,提純后的硅烷進行熱分解生成硅和氫氣。

 
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